ترانزیستور آی جی بی تی GT50JR22
GT50JR22 یک IGBT سیلیکونی (N-Channel) طراحیشده برای کاربردهای
سوئیچینگ با توان بالا است. این قطعه دارای دیود آزادکننده (free-wheeling)
یکپارچه و مشخصههای سوئیچینگ سریع با افت اشباع کم میباشد؛
مناسب برای کاربردهای اینورتر و منابع تغذیه قدرتی.
(خلاصه اطلاعات از دیتاشیت رسمی و صفحه محصول Toshiba گرفته شده است.)
مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| نوع | IGBT سیلیکونی N-Channel (Discrete) |
| ولتاژ کلکتور–امیتر (VCES) | 600 V |
| جریان کلکتور (IC / IC) | 50 A (رده نامی) |
| VCE(sat) (نمونه) | ≈ 1.55 – 2.2 V (بسته به شرایط) |
| توان تلفاتی (PD) | ≈ 230 W (مقدار مرجع، دیتاشیت را ببینید) |
| ولتاژ گیت–امیتر (VGE) | ±25 V (حداکثر) |
| زمان خاموش (tf) | ~0.05 µs (typ) @ I = 50 A |
| پکیج | TO-3P (TO-3P(N)) — Through-hole, 3-pin |
| دمای کار | تا جَنکشن پیشبینیشده در دیتاشیت |
برای مقادیر دقیقتر (نمودارها، شرایط تست و محدودههای حرارتی) لطفاً دیتاشیت رسمی را دانلود و بررسی کنید.
ویژگیهای کلیدی
- سوئیچینگ سریع و زمان خاموش کوتاه
- دیود آزادکننده داخلی (integrated FWD)
- VCE(sat) پایین برای تلفات کمتر
- ردهی ولتاژی 600 V مناسب اینورترها
- پکیج TO-3P مناسب نصب و خنکسازی
- طراحی برای کاربردهای سوئیچینگ با جریان بالا
- قابلیت تولید در حجم و جایگزینهای مرجعی وجود دارد
- سازگار با استانداردهای صنعتی و RoHS
کاربردهای پیشنهادی
- اینورترهای قدرت و منابع تغذیه صنعتی
- درایوهای موتور و کنترل سرعت
- مدارات سوئیچینگ با جریان و ولتاژ بالا
- مدارات پل و مبدلهای توان تکفاز / سهفاز
- کاربردهای تقویت توان و منابع آزمایشگاهی
- حالتهای کاربردی در مدارات رزونانت و نرم-سوئیچینگ
- جایگزینی در طراحیهای مرجع Toshiba
- نمونهسازی و تولید سیستمهای قدرت صنعتی
دیتاشیت GT50JR22
