تمام شده
ترانزیستور آی جی بی تی GT60N321
ترانزیستور GT60N321 یک IGBT N-Channel توان بالا از شرکت Toshiba است که برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت، اینورترها، درایو موتور و منابع تغذیه صنعتی طراحی شده و ترکیبی از جریان بالا، ولتاژ شکست زیاد و کارایی مناسب را ارائه میدهد.
مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| نوع | N-Channel IGBT |
| ولتاژ کلکتور–امیتر (VCES) | 1000 V |
| جریان کلکتور مداوم (IC) | 60 A |
| جریان پالسی (ICM) | 120 A |
| ولتاژ اشباع (VCE(sat)) | ≈ 2.3 V @ 60A |
| توان تلفاتی (PD) | 170 W |
| دمای اتصال (Tj) | تا 150°C |
| پکیج | TO-3P |
توضیح: مقادیر فوق خلاصهای از مشخصات کلیدی دیتاشیت رسمی هستند. برای بررسی نمودارهای SOA، منحنیها و شرایط آزمون لطفاً به دیتاشیت مرجع مراجعه شود.
ویژگیهای کلیدی
- مناسب برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا
- توان تلفاتی زیاد و اتلاف حرارت مناسب
- ولتاژ شکست 1000 ولت با پایداری بالا
- راندمان مناسب در کاربردهای صنعتی
- سرعت سوئیچینگ مناسب برای اینورترها
- قابلیت جریان پالسی تا 120 آمپر
- طراحی مقاوم برای درایو موتور
- پکیج TO-3P با دفع حرارت خوب
کاربردهای پیشنهادی
- اینورترهای صنعتی و درایوهای موتور
- سیستمهای UPS و منابع تغذیه
- مدارات سوئیچینگ توان بالا
- کنترل موتورهای AC و DC
- بوست کانورترهای قدرت بالا
- مدارات اینورتر سهفاز
- سیستمهای جوش و برش صنعتی
- کاربردهای توان بالا با ولتاژ 1kV
