آی جی بی تی K30N60

شناسه محصول: 1420009 دسته: ,
  • ترانزیستور K30N60 ولتاژ کاری 600V دارد.
  • جریان مداوم قطعه حدود 30A می‌باشد.
  • نوع ماسفت آن N-Channel MOSFET است.
  • مقاومت روشن قطعه تقریبا 0.14Ω می‌باشد.
  • شدت شارژ گیت تقریبا 85nC در حالت.
  • توان تلفاتی قطعه نزدیک 300W می‌باشد.
  • دمای کاری تا 150°C تحمل می‌شود.
  • پکیج استاندارد آن مدل TO-247 است.

0 People watching this product now!

توضیحات محصول

ماسفت K30N60

یک MOSFET قدرتی ولتاژ بالا با راندمان مناسب و استحکام حرارتی برای کاربردهای صنعتی و سوئیچینگ.

ماسفت K30N60 یک ترانزیستور قدرتی از نوع N-Channel است که برای کار در ولتاژهای بالا طراحی شده است. این قطعه توان تحمل 600 ولت بین درین و سورس را دارد و می‌تواند جریان مداوم حدود 30 آمپر را مدیریت کند.
K30N60 با مقاومت روشن پایین، زمان سوئیچینگ سریع و تحمل انرژی آوالانچ، گزینه‌ای ایده‌آل برای منابع تغذیه صنعتی، درایورهای موتور و اینورترهای توان بالا محسوب می‌شود.

مشخصات فنی

مشخصهمقدار
نوعN-Channel Power MOSFET
ولتاژ درین-سورس (VDS)600 V
جریان درین مداوم (ID)30 A
مقاومت روشن (RDS(on))0.19 Ω @ VGS=10V
شارژ گیت (Qg)160 nC @ VGS=10V
ولتاژ گیت-سورس (VGS)±30 V
خازن ورودی (Ciss)3000 pF
توان تلفاتی (PD)250 W (در دمای کیس)
دمای کاری-55 تا +150 °C
پکیجTO-247

ویژگی‌های کلیدی

  • ولتاژ کاری بالا تا 600V
  • مقاومت روشن مناسب برای راندمان بهتر
  • قابلیت تحمل انرژی آوالانچ
  • سوئیچینگ سریع و پایدار
  • مناسب برای کاربردهای صنعتی قدرت
  • پایداری حرارتی قابل اعتماد

کاربردهای پیشنهادی

  • منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی
  • اینورترهای قدرت DC-AC
  • درایو موتورهای سه‌فاز
  • مدارات UPS و بک‌آپ توان
  • مبدل‌های DC-DC ولتاژ بالا
  • سوئیچینگ در بارهای القایی سنگین

دیتاشیت ترانزیستور K30N60 :

ثبت نظر و امتیاز دهی محصول

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “آی جی بی تی K30N60”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *