خانه » فروشگاه » آی جی بی تی K30N60
  • ترانزیستور K30N60 ولتاژ کاری 600V دارد.
  • جریان مداوم قطعه حدود 30A می‌باشد.
  • نوع ماسفت آن N-Channel MOSFET است.
  • مقاومت روشن قطعه تقریبا 0.14Ω می‌باشد.
  • شدت شارژ گیت تقریبا 85nC در حالت.
  • توان تلفاتی قطعه نزدیک 300W می‌باشد.
  • دمای کاری تا 150°C تحمل می‌شود.
  • پکیج استاندارد آن مدل TO-247 است.

محصول جایگزین

آی جی بی تی K30N60

خرید مجدد

خرید شما توسط سیستم داده پردازی یاس الکترونیک بررسی می شود و به نسبت خریدتان در خرید بعدی تخفیف دریافت خواهید نمود

ماسفت K30N60

یک MOSFET قدرتی ولتاژ بالا با راندمان مناسب و استحکام حرارتی برای کاربردهای صنعتی و سوئیچینگ.

ماسفت K30N60 یک ترانزیستور قدرتی از نوع N-Channel است که برای کار در ولتاژهای بالا طراحی شده است. این قطعه توان تحمل 600 ولت بین درین و سورس را دارد و می‌تواند جریان مداوم حدود 30 آمپر را مدیریت کند.
K30N60 با مقاومت روشن پایین، زمان سوئیچینگ سریع و تحمل انرژی آوالانچ، گزینه‌ای ایده‌آل برای منابع تغذیه صنعتی، درایورهای موتور و اینورترهای توان بالا محسوب می‌شود.

مشخصات فنی

مشخصه مقدار
نوع N-Channel Power MOSFET
ولتاژ درین-سورس (VDS) 600 V
جریان درین مداوم (ID) 30 A
مقاومت روشن (RDS(on)) 0.19 Ω @ VGS=10V
شارژ گیت (Qg) 160 nC @ VGS=10V
ولتاژ گیت-سورس (VGS) ±30 V
خازن ورودی (Ciss) 3000 pF
توان تلفاتی (PD) 250 W (در دمای کیس)
دمای کاری -55 تا +150 °C
پکیج TO-247

ویژگی‌های کلیدی

  • ولتاژ کاری بالا تا 600V
  • مقاومت روشن مناسب برای راندمان بهتر
  • قابلیت تحمل انرژی آوالانچ
  • سوئیچینگ سریع و پایدار
  • مناسب برای کاربردهای صنعتی قدرت
  • پایداری حرارتی قابل اعتماد

کاربردهای پیشنهادی

  • منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی
  • اینورترهای قدرت DC-AC
  • درایو موتورهای سه‌فاز
  • مدارات UPS و بک‌آپ توان
  • مبدل‌های DC-DC ولتاژ بالا
  • سوئیچینگ در بارهای القایی سنگین

دیتاشیت ترانزیستور K30N60 :