ترانزیستور 2N3819
ترانزیستور 2N3819 یک ترانزیستور اثر میدان از نوع JFET کانال N است که برای کاربردهای تقویت سیگنال‌های ضعیف، مدارهای صوتی کم‌نویز و مدارات آنالوگ دقیق طراحی شده است. این قطعه با امپدانس ورودی بسیار بالا و نویز پایین، انتخابی عالی برای مراحل ورودی تقویت‌کننده‌ها و تجهیزات اندازه‌گیری است.
مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| نوع | N-Channel JFET |
| ولتاژ درین–سورس (VDSS) | 25V |
| جریان درین (ID) | 2mA تا 20mA |
| ولتاژ گیت–سورس (VGS) | -3V تا -8V |
| توان تلفاتی (PD) | 350mW |
| ترارسانایی (gfs) | 2mS تا 5mS |
| نویز ذاتی | کم (Low Noise) |
| فرکانس کاری | باند فرکانسی بالا (RF مناسب) |
| پکیج | TO-92 |
| دمای کاری | -55°C تا +125°C |
ویژگی‌های کلیدی
- JFET کانال N با نویز بسیار پایین
- امپدانس ورودی بسیار بالا
- مناسب تقویت سیگنال‌های ضعیف
- مصرف توان بسیار کم در مدار
- پایداری حرارتی مناسب در عملکرد
- مناسب کاربردهای صوتی حرفه‌ای
کاربردهای پیشنهادی
- پری‌امپلی‌فایرهای صوتی کم‌نویز
- مدارهای ورودی میکروفن
- گیرنده‌های رادیویی و RF
- تقویت‌کننده‌های ابزار دقیق
- مدارات اندازه‌گیری دقیق
- پروژه‌های الکترونیکی آنالوگ
دیتاشیت ترانزیستور 2N3819 :
