ترانزیستور ماسفت OSG55R140F
MOSFET ولتاژ بالا با ساختار GreenMOS برای کاربردهای پرتوان و مبدلهای سوئیچینگ.
مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| نوع | N‑Channel Power MOSFET |
| ولتاژ درین‑سورس (V₁ₛ) | 550 V |
| جریان پالس (ID,pulse) | 69 A |
| مقاومت روشن (RDS(on)) | 140 mΩ @ VGS=10V |
| بار گیت (Qg) | 24.1 nC |
| ولتاژ گیت‑سورس مجاز | ±30 V |
| توان تلفاتی (PD) | 59.5 W (در TO‑220F) |
| دمای کاری | -55 تا +150 °C |
ویژگیهای کلیدی
- تکنولوژی GreenMOS با تلفات پایین
- مقاومت روشن کم برای کارایی بالا
- بار گیت پایین → سوئیچینگ سریع
- توان زیاد و ولتاژ بالا
- مناسب برای عملیات avalanche قوی
- پایداری حرارتی و عملکرد قابل اعتماد
کاربردهای پیشنهادی
- منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
- سرور پاورها و رک پاور
- اینورترهای ولتاژ بالا
- شارژرهای EV و شارژرهای صنعتی
- کنترل قدرت در مبدلهای PV / خورشیدی
- سیستمهای UPS و بکآپ پاور
دیتاشیت ترانزیستور ماسفت OSG55R140F :
