ماسفت QA3109M6N DFN-5 :
ترانزیستور ماسفت QA3109M6N یک MOSFET از نوع N-Channel Trench است که برای کاربردهای مبدلهای DC-DC، منابع تغذیه سوئیچینگ، مادربردها، کارتهای گرافیک، تجهیزات مخابراتی، مدارهای مدیریت توان و سوئیچینگ بار طراحی شده و به دلیل مقاومت روشن بسیار پایین، شارژ گیت کم و راندمان بالا، در مدارات قدرت فرکانس بالا کاربرد گستردهای دارد.
QA3109M6N یک ماسفت قدرتی N-Channel با ولتاژ شکست 30V و جریان مداوم 29A است. این قطعه به دلیل RDS(on) فوقالعاده پایین، سرعت سوئیچینگ بالا و پکیج DFN-5 (PRPAK 5×6)، گزینهای ایدهآل برای مبدلهای سنکرون، مدارهای VRM و سیستمهای مدیریت انرژی محسوب میشود.
مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| نوع | N-Channel Trench MOSFET |
| ولتاژ درین-سورس (VDS) | 30 V |
| جریان درین مداوم (ID) | 29 A |
| مقاومت روشن (RDS(on)) | 0.0015 Ω Max @ VGS = 10V |
| شارژ گیت (Qg) | ~18 nC |
| ولتاژ گیت-سورس (VGS) | ±20 V |
| توان تلفاتی (PD) | 2 W |
| دمای کاری | -55 تا +150 °C |
| پکیج | DFN-5 (PRPAK 5×6) |
ویژگیهای کلیدی
• مقاومت روشن فوقالعاده پایین 1.5 میلیاهم
• فناوری Trench با راندمان بالا
• شارژ گیت کم برای سوئیچینگ سریع
• مناسب برای مبدلهای سنکرون DC-DC
• تلفات هدایتی بسیار کم
• ابعاد کوچک و مناسب طراحیهای فشرده SMD
• عملکرد پایدار در فرکانسهای سوئیچینگ بالا
• قابلیت اطمینان بالا در مدارات مدیریت توان
کاربردهای پیشنهادی
• مبدلهای DC-DC سنکرون
• مادربردها و کارتهای گرافیک
• مدارهای VRM پردازنده
• سیستمهای مدیریت باتری (BMS)
• تجهیزات مخابراتی و شبکه
• منابع تغذیه سوئیچینگ
• سوئیچینگ بارهای DC
• انواع پروژههای الکترونیکی SMD
دیتاشیت ترانزیستور QA3109M6N :
© تمامی حقوق برای فروشگاه یاس الکترونیک محفوظ است — YAS Electronic
